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PID自整定始后，只有过程反馈值超出了该区域，PID自整定调节器才会认为它对输出的改变发生了效果。这个值用来减少过程变量的噪声对自整定的干扰，从而更地计算出过程系统的自然振动频率。如果选用自动计算，则缺省值为2％。如果过程变量反馈干扰信号较强（噪声大）自然变化范围就大，可能需要人为设置一个较大的值。但这个值的改变要与下面的偏差值保持1:4的关系。偏差：偏差值决定了允许过程变量偏离设定值的峰峰值。

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宁夏固原发电电缆施工剩余电缆（ /动态）θM为产生TM的角度。两相PM型或两相HB型的步距角一致。根据上式，以及《步进电机的基本特性：静态、动态、暂态转矩特性》一问中的式：θL=（2θM/π）arcsin（TL/TM）得知，负载转矩TL决移角θL的大小。由于步进电机的负载决定角位置，因此一定负载转矩TL时，θL越小，角度精度越高。因此希望步进电机静态转矩（保持转矩）TM要大。连续测量TL与θL，就可以得到静态转矩特性曲线。步进电机的静态转矩特性，可以1相激磁，也可以2相激磁，A相与B相1相激磁转矩公式如下式所示，其中角度θ为电气角。在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中，常用BT136这类大功率的双向晶闸管来实现调光或调速。双向晶闸管的电路符号。MOS场效应管的电路符号。场效应管属于单极型半导体器件，其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种，每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号，又可以作为关器件用来控制负载的通断，故场效应管的用途比晶闸管更广一些。在功放电路中，采用VMOS场效应管作为功率放大元件，可以提高音质；在关电路中，驱动电机等大电流负载时，选用MOS场效应管作为电子关，可以减轻前级驱动电路的负担（若选用晶闸管的话，需要从前级电路汲取较大的驱动电流）。在变频器功能输入端子中，经过功能设置，使其中的两个或多个端子用于频率给定。常用的有：正转、反转给定：在多功能输入端子中任选两个，经过功能预置，使之成为“正转”端子和“反转”端子，如下图所示。多段速度给定：在多功能输入端子中任选若干个，经过功能预置，使之成为多段速控制端子，如下图所示，则通过该几个端子的不同组合，可以得到不同的转速。模拟量给定就是通过变频器的RS485接口或PLC给定。模拟量给定是通过变频器的模拟量端子从外部输入模拟量信号进行给定，并通过调节模拟量的大小来改变变频器的输出频率。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。